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湖人半导体（深圳）有限公司
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产品信息
IRLR8259好处
非常低的RDS（on ），在4.5V VGS
超低栅极阻抗
充分界定雪崩电压和电流
LEAD -FREE
符合RoHS
IRLR8259产品技术参数
通道类型N连续漏极电流57 A漏源电压25 V漏源电阻值0.009 Ω栅源电压±20 V封装类型DPAK安装类型表面贴装引脚数目3通道模式增强类别功率 MOSFET功率耗散48 W配置单典型接通延迟时间8.4 ns每片芯片元件数目1宽度6.22mm工作温度+175 °C高度2.39mm尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm长度6.73mm典型关断延迟时间9.1 ns工作温度-55 °C典型栅极电荷@Vgs6.8 nC V @ 4.5典型输入电容值@Vds900 pF V @ 13
IRLR8259大量现货
