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询价产品信息
1.1概述
在塑料封装中使用p沟道增强型场效应晶体管
™TrenchMOS技术。
1.2特点
低阈值电压
低通态电阻。
1.3应用程序
低功率直流变换器
电池管理
负荷开关
电池供电的便携式设备。
快速参考数据
VDS￡- 20 V
ID ￡ - 3.9 A
导通电阻￡76兆瓦
在塑料封装中使用p沟道增强型场效应晶体管
™TrenchMOS技术。
1.2特点
低阈值电压
低通态电阻。
1.3应用程序
低功率直流变换器
电池管理
负荷开关
电池供电的便携式设备。
快速参考数据
VDS￡- 20 V
ID ￡ - 3.9 A
导通电阻￡76兆瓦
QGD = 0.65数控（典型值）。
1.1 General description
P-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
1.2 Features
Low threshold voltage
Low on-state resistance.
1.3 Applications
Low power DC-to-DC converters
Battery management
Load switching
Battery powered portable equipment.
Quick reference data
VDS ￡ -20 V
ID ￡ - 3.9 A
RDSon ￡ 76 mW
Qgd = 0.65 nC (typ).